集成电路和器件

授权

摘要

本公开的实施例涉及包括集成电路和器件。本公开涉及包括一行或多行晶体管的集成电路。在一个实施例中，集成电路包括双极晶体管行，该双极晶体管行包括多个第一导电区域、第二导电区域以及共用基极，共用基极位于第一导电区域和第二导电区域之间。绝缘沟槽与双极晶体管行中的每个双极晶体管接触。导电层位于绝缘沟槽和共用基极上，位于第一导电区域之间。间隔件层位于导电层和第一导电区域之间。

基本信息

专利标题：

集成电路和器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920454682.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-04

授权号：

CN209843710U

授权日：

2019-12-24

发明人：

P·波伊文J·J·法戈E·佩蒂特普瑞兹E·苏谢尔O·韦伯

申请人：

意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司

申请人地址：

法国克洛尔

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

优先权：

CN201920454682.1

主分类号：

H01L27/082

IPC分类号：

H01L27/082 H01L21/8222 H01L27/24