氮氧化硅栅介质层的测量方法及半导体器件的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种氮氧化硅栅介质层的测量方法及半导体器件的制造方法，所述氮氧化硅栅介质层的测量方法包括：提供一衬底，衬底上形成有氮氧化硅栅介质层；获取氮氧化硅栅介质层的氮含量，并基于氮含量与氮氧化硅栅介质层厚度的补偿关系，得到有氮氧化硅栅介质层在氮含量下的补偿系数；利用氮氧化硅栅介质层的第一厚度及补偿系数及，获取氮氧化硅栅介质层的第二厚度，并以第二厚度作为氮氧化硅栅介质层的实际厚度。本发明中，通过氮含量与氮氧化硅栅介质层厚度的补偿关系，利用氮氧化硅栅介质层的氮含量获取其补偿系数，并结合其利用椭偏仪获得第一厚度，从而准确且及时获得氮氧化硅栅介质层的实际厚度。
基本信息
专利标题 ：
氮氧化硅栅介质层的测量方法及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284168A
申请号 ：
CN202210214057.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
CN114284168B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王胜林张志敏
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
尤彩红
优先权 ：
CN202210214057.6
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20220307
申请日 : 20220307
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
