一种硅栅刻蚀的方法

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本发明涉及一种硅栅刻蚀的方法，包括BT步、主刻步和过刻步，其特征在于，该方法还包括在主刻步和过刻步之间单独加入惰性气体，释放聚集在硅片上的电荷。该方法能够在不改变硬件设计的前提下，仅通过在栅刻蚀工艺中主刻工艺步骤后加入惰性气体，释放聚集在硅片上的电荷以达到消除微沟道效应的目的，满足先进栅刻蚀工艺的需要。这种方法简单易行，不仅避免了系统硬件设计所增加的变数、保证工艺的稳定性；还可以避免系统升级、节约大笔开支。

基本信息

专利标题：

一种硅栅刻蚀的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1848384A

申请号：

CN200510126288.8

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

孙静

申请人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

申请人地址：

100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

司君智

优先权：

CN200510126288.8

主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

H01L21/306 H01L21/3065 C23F1/10

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

法律状态

2018-08-17 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 21/306
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

2008-03-26 ：

授权

2006-12-13 ：

实质审查的生效

2006-10-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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