SiC衬底的刻蚀方法
授权
摘要
一种SiC衬底的刻蚀方法，刻蚀在反应腔室内进行，刻蚀方法交替执行刻蚀步骤和副产物排出步骤；在刻蚀步骤，对设于反应腔室内的SiC衬底进行刻蚀；在副产物排出步骤，排出反应腔室内的反应副产物。该刻蚀方法能够降低反应副产物在反应腔室侧壁和介质窗表面沉积的可能，设备的清洗维护周期被大幅延长，降低设备的维护难度和工作量。
基本信息
专利标题 ：
SiC衬底的刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110534424A
申请号 ：
CN201810857556.0
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2018-07-31
授权号 ：
CN110534424B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
刘海鹰
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN201810857556.0
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20180731
申请日 : 20180731
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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