用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法
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摘要
本发明提供了一种用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法。利用衬底结构中第一材料层相对于第二材料层具有较低的电阻率，从而在产生有微刻蚀缺陷而提前暴露出第一材料层时，即能够使得衬底结构的电阻提前出现突变而被及时的检测到，如此，即可以及时有效的检测出当前刻蚀工艺中是否存在微刻蚀现象而导致微刻蚀缺陷，并且还可以进一步的判断出对应采用的刻蚀设备是否存在异常。
基本信息
专利标题 ：
用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114093785A
申请号 ：
CN202210019520.1
公开（公告）日 ：
2022-02-25
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
CN114093785B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
廖军张志敏
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯启正
优先权 ：
CN202210019520.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L23/544 G01N27/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2022-03-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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