一种刻蚀机刻蚀气体进气结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种刻蚀机刻蚀气体进气结构，包括刻蚀气体分流盘，所述刻蚀气体分流盘的上表面中间区域设置有布气内沉台，所述布气内沉台内至少设置有一圈内圈喷孔；所述刻蚀气体分流盘的上表面还设置有一圈布气外凹环，所述布气外凹环内设置有外圈喷孔；所述布气内沉台和布气外凹环间设置有阻隔层。本实用新型能够避免内圈刻蚀气体与外圈刻蚀气体间的相互干扰，提高刻蚀气体进入刻蚀盘内圈和外圈的均匀性，从而保证晶片刻蚀的一致性，可广泛应用于晶片刻蚀加工技术领域。
基本信息
专利标题 ：
一种刻蚀机刻蚀气体进气结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122802888.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
CN216250635U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
汪剑陈亮朱伟明徐良李昌勋刘建哲冯晋荃彭艳亮韩理想祝小林
申请人 ：
黄山博蓝特光电技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省黄山市屯溪区九龙低碳工业园区翠薇北路66号
代理机构 ：
杭州凌通知识产权代理有限公司
代理人 ：
叶绿林
优先权 ：
CN202122802888.9
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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