一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺
实质审查的生效
摘要
本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334640A
申请号 ：
CN202111522470.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙捷杜佳怡严群杨天溪黄忠航林畅张永爱周雄图郭太良
申请人 ：
闽都创新实验室
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县上街镇海西高新区科技园高新大道8号
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭东亮
优先权 ：
CN202111522470.0
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/18 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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