一种真空湿法刻蚀装置
授权
摘要
本实用新型属于微纳结构构筑领域，更具体地说，尤其是涉及到应用于排除蚀刻过程中因反应产生的气体/气泡的湿法化学刻蚀装置，箱体呈方形结构，其内部设有一端开口的放置腔，位于放置腔一侧的箱体的端面上设有可关闭的箱门，箱门关闭可使所述放置腔形成密闭的空间，承液槽设置在放置腔的底部，刻蚀槽通过升降装置可升降的设置在承液槽的上方，刻蚀槽外框上设有若干通孔，真空泵设置在箱体的一侧，真空泵通过连通管道连通于放置腔，连通管道上设有电子阀，箱体上方设有控制阀，箱体的一侧设有气瓶，气瓶通过控制阀连通于放置腔。本申请提出，将蚀刻反应装置置于真空腔体内，通过真空的引入来高效率去除反应气泡的附着。
基本信息
专利标题 ：
一种真空湿法刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123152955.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
CN216528773U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
王燕东曾周芳
申请人 ：
中科新芯纳米技术（常州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区梅山路3号科技转化楼405室
代理机构 ：
南京常青藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁夫文
优先权 ：
CN202123152955.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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