本发明涉及一种硅片刻蚀的工艺处方控制方法，其特征在于，先将硅片刻蚀工艺过程的各种控制参数设定为工艺处方，然后在工艺运行过程中按预先设定的方式选择各工艺处方来控制系统运行，所述工艺处方包括各种特殊气体的流量、反应腔室的压力、氦气的压力、反应腔室的温度、反应的最长、反应的最短时间或反应的结束条件等及各参数的不同组合，工艺处方中包含有一个或多个分步反应条件，利用工艺处方及其中的各个分步反应条件来控制硅片刻蚀，可以把复杂的参数设置、更改工作简化，通过预先设置的方式，灵活方便地控制和更改各种参数，控制反应腔室的各种反应条件和刻蚀反应结果。