衬底处理装置及衬底处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(100)具备：衬底保持部(120)，保持衬底(W)；处理槽(110)，贮存用于浸渍被保持在衬底保持部(120)的衬底(W)的处理液(L)；及多个气泡产生管(136)，通过对处理液(L)供给气体而使处理液(L)中产生气泡。多个气泡产生管(136)之中，供给到外侧气泡产生管(136a、136d)的气体的流量多于供给到内侧气泡产生管(136b、136c)的气体的流量，所述外侧气泡产生管(136a、136d)位于浸渍在处理液(L)中的衬底(W)的外周区域下方，所述内侧气泡产生管(136b、136c)位于衬底(W)的中央区域下方。
基本信息
专利标题 ：
衬底处理装置及衬底处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446822A
申请号 ：
CN202111269112.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥朋宏
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈甜甜
优先权 ：
CN202111269112.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211029
申请日 : 20211029
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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