碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法，刻蚀方法包括：于碳化硅衬底上形成第一介质层；于第一介质层上形成第二介质层；于第二介质层上形成光刻胶图形；基于光刻胶图形刻蚀第二介质层，刻蚀停止在第一介质层表面，以形成窗口；去除光刻胶图形，通过窗口湿法刻蚀第一介质层，以去除窗口中的第一介质层，湿法刻蚀同时去除窗口侧壁的粗糙结构以降低窗口侧壁的粗糙度；以第一介质层和第二介质层为掩膜，刻蚀碳化硅衬底以形成沟槽；去除第一介质层和第二介质层并对沟槽进行损伤修复处理。本发明可以有效降低碳化硅沟槽的表面粗糙度，提升碳化硅器件的沟槽栅氧层质量，大大地降低沟槽粗糙度对沟道载流子迁移率的影响。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551227A
申请号 ：
CN202210179553.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贺艺舒季益静吴贤勇
申请人 ：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202210179553.2
主分类号 ：
H01L21/04
IPC分类号 ：
H01L21/04 H01L21/308 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/04
申请日 : 20220225
申请日 : 20220225
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
