一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法

授权

摘要

本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。一方面由于在碳化硅MOSFET器件的结型场效应管区域的上方内嵌一个肖特基结，即在碳化硅MOSFET器件内嵌一个肖特基二极管，使得碳化硅MOSFET器件存在的开关损耗问题得到解决。另一方面该器件的制造过程中使用的工艺和条件均为Si CMOS工艺兼容的，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。因此，综上所述，本申请可以有效的增大开关速度，减小了开关损耗，为碳化硅MOSFET的生产提供了很好的借鉴和参考。

基本信息

专利标题：

一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109742135A

申请号：

CN201811466155.9

公开（公告）日：

2019-05-10

申请日：

2018-12-03

授权号：

CN109742135B

授权日：

2022-05-20

发明人：

林信南黄樟伟

申请人：

北京大学深圳研究生院

申请人地址：

广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区

代理机构：

深圳鼎合诚知识产权代理有限公司

代理人：

郭燕

优先权：

CN201811466155.9

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/78 H01L29/812 H01L21/336