基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法
公开
摘要
本发明提供的一种基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法，制备出的基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件包括p+外延层1、P‑基区2、N+衬底3、钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明P‑基区2使用横向变掺杂基区，可以提高P+/P‑结处P‑基区的掺杂浓度，降低器件负角处的浓度梯度，抑制表面电场，提高器件的工作可靠性。
基本信息
专利标题 ：
基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582954A
申请号 ：
CN202210109338.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
袁昊周瑜汤晓燕宋庆文张玉明
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210109338.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L21/329
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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