碳化硅器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种碳化硅器件，包括：位于所述碳化硅衬底内且交替间隔设置的栅极沟槽和源极沟槽；位于栅极沟槽的栅极，栅极通过第一绝缘层与第二n型碳化硅层隔离，栅极通过第二绝缘层与p型半导体层和第三n型半导体层隔离；位于源极沟槽内的源极，源极与p型碳化硅层和第三n型碳化硅层连接，源极通过第三绝缘层与源极沟槽的侧壁位置处的第二n型碳化硅层隔离；位于第二n型碳化硅层内且位于源极沟槽底部位置处的p型阱区，p型阱区与源极在源极沟槽的底部位置相连接。本发明可以降低栅极被击穿的风险，并提高碳化硅器件的耐压。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512531A
申请号 ：
CN202011280134.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龚轶刘磊刘伟王睿
申请人 ：
苏州东微半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN202011280134.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/08 H01L29/78
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201116
申请日 : 20201116
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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