碳化硅MOSFET器件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，碳化硅MOSFET器件包括：外延片，包括：半导体基底；设置在基底表面的外延层；设置在外延层内的阱区、源区以及沟槽栅极；沟槽栅极包括位于外延层背离基底一侧表面内的沟槽；位于沟槽内的栅极；源区包围沟槽且与沟槽的侧壁接触；阱区包括：在基底指向源区方向上依次设置的第一层阱区、第二层阱区和第三层阱区；第三层阱区包围沟槽且与沟槽的侧壁接触；沟槽下方的外延层内具有掺杂区域，第一层阱区包围掺杂区域且与掺杂区域接触；第一层阱区与第三层阱区之间具有部分外延层，第二层阱区位于部分外延层的两侧；部分外延层内具有用于保护沟槽栅极底部的掩蔽层；掩蔽层位于沟槽的下方。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅MOSFET器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464680A
申请号 ：
CN202210004474.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
袁俊
申请人 ：
湖北九峰山实验室
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖高新技术开发区未来科技城B4-5楼
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
姚璐华
优先权 ：
CN202210004474.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
