一种碳化硅平面式功率半导体器件及其制作方法
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摘要
本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅平面式功率半导体器件，其中，包括：衬底和外延层；形成在外延层上表面的闸极氧化层、介电质层和铝金属层；形成在闸极氧化层上表面的闸极多晶硅层；外延层本体内依次形成P‑掺杂区、N+掺杂区和P+掺杂区，N+掺杂区位于P‑掺杂区内，P‑掺杂区均包覆部分P+掺杂区，P+掺杂区包覆部分N+掺杂区，N+掺杂区的上表面的宽度大于其下表面的宽度。本发明还公开了一种碳化硅平面式功率半导体器件的制作方法。本发明提供的碳化硅平面式功率半导体器件提高了器件的雪崩崩溃能力。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅平面式功率半导体器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112993014A
申请号 ：
CN202110538857.9
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2021-05-18
授权号 ：
CN112993014B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李振道孙明光朱伟东
申请人 ：
江苏应能微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202110538857.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210518
申请日 : 20210518
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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