碳化硅半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供一种碳化硅半导体器件，器件包括：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层，隔离介质层的介电常数介于1～3之间；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上。本实用新型在源极金属层与栅极层之间，采用介电常数介于1～3之间的低k介质作为隔离介质层，相比于采用如二氧化硅等介质材料作为隔离介质层来说，在相同介质厚度情况下，可以大大减少源极金属层与栅极层之间的输入电容，提高器件的开关速度，降低导通损耗。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922313992.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-20
授权号 ：
CN210837769U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
田意徐大伟
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN201922313992.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/45 H01L29/417 H01L29/06 H01L21/336
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法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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