MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件

授权

摘要

本公开涉及MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件。该MOSFET器件包括由半导体材料制成的结构区域，半导体材料具有第一类型的导电性，结构区域具有沿着轴线彼此相对的第一侧和第二侧；具有第二类型的导电性的本本体区域域，第二类型与第一类型相对，本本体区域域在结构本体中从第一侧延伸；具有第一类型的导电性的源极区域，源极区域在本本体区域域中从第一侧开始延伸；栅极区域，在结构区域中从第一侧开始延伸，并且完全横跨本本体区域域；以及具有第二类型的导电性的屏蔽区域，屏蔽区域在结构区域中在栅极区域和第二侧之间延伸。在俯视视图中，屏蔽区域是与栅极区域自对准的注入区域。

基本信息

专利标题：

MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921245765.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-02

授权号：

CN210296383U

授权日：

2020-04-10

发明人：

M·G·萨吉奥E·扎内蒂

申请人：

意法半导体股份有限公司

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

优先权：

CN201921245765.6

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423