碳化硅平面MOSFET器件及制备方法

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摘要

本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种碳化硅平面MOSFET器件及其制备方法。本发明相对于传统的平面型碳化硅MOSFET，去掉了其N型碳化硅衬底，在器件源区一侧引入了第一N型碳化硅缓冲层，在器件漏区一侧引入了第二N型碳化硅缓冲层，并且在器件漏区一侧引入了P型多晶硅/N型碳化硅异质结以及不相连的P型区域。所述器件结构可以使平面型碳化硅MOSFET在获得大的正反向对称耐压的同时，具有较小的正向导通压降。此外，为了进一步提升器件耐压以及导通特性，给出了几种相应的衍生结构。

基本信息

专利标题：

碳化硅平面MOSFET器件及制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112687746A

申请号：

CN202011596754.X

公开（公告）日：

2021-04-20

申请日：

2020-12-29

授权号：

CN112687746B

授权日：

2022-05-24

发明人：

张金平王鹏蛟李小锋刘竞秀张波

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

敖欢

优先权：

CN202011596754.X

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/08 H01L29/06 H01L21/336