一种多沟槽型碳化硅JBS器件及其制备方法
公开
摘要
本发明属于功率器件技术领域，提供了一种多沟槽型碳化硅JBS器件及其制备方法，多沟槽型碳化硅JBS器件包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、肖特基沟槽、注入沟槽、PN结注入掺杂区以及金属层，其中，注入沟槽和肖特基沟槽设置于碳化硅外延层上，肖特基沟槽设于相邻的注入沟槽之间，且注入沟槽的深度大于肖特基沟槽的深度；PN结注入掺杂区设于注入沟槽内，金属层在肖特基沟槽内与碳化硅外延层之间形成肖特基接触，该多沟槽型碳化硅JBS器件在横向尺寸不变的情况下提升肖特基结面积，有效提升了电流密度，同时降低了器件的漏电流，解决现有的沟槽结构多沟槽型碳化硅JBS器件存在的稳定性较差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种多沟槽型碳化硅JBS器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582981A
申请号 ：
CN202210454383.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-04-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张益鸣刘杰
申请人 ：
深圳芯能半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
阳方玉
优先权 ：
CN202210454383.4
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L21/329 H01L29/06
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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