制备具有不同深度沟槽器件的方法及系统
公开
摘要
本申请实施例公开了一种制备具有不同深度沟槽器件的方法及系统，用于半导体制造领域或者数字存储领域。本申请实施例方法包括：用不同剂量的粒子束曝光处理衬底材料中不同区域表面的保护材料，以曝光处理后的保护材料为掩膜对衬底材料进行刻蚀，即可获取不同深度的沟槽。该方案可以减少沟槽器件制备过程中的光刻次数，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
制备具有不同深度沟槽器件的方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551226A
申请号 ：
CN202011347378.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘轻舟刘晟郑超
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈松浩
优先权 ：
CN202011347378.0
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/308 H01L21/67 G03F7/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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