半导体器件的版图和器件沟槽深度的监控方法
授权
摘要
本申请公开了一种半导体器件的版图和器件沟槽深度的监控方法，该版图包括：器件图形，其用于在半导体器件的制备过程中，通过光刻工艺被传递到晶圆上，晶圆被器件图形所暴露的区域被刻蚀形成器件沟槽；量测图形，其用于在半导体器件的制备过程中，通过光刻工艺被传递到晶圆上，晶圆被量测图形所暴露的区域被刻蚀形成量测沟槽，通过原子力显微镜测量量测沟槽的深度以监控器件沟槽的深度；其中，量测图形的特征尺寸和器件图形的特征尺寸的比值的取值范围为20至60。本申请通过减小量测图形和器件图形的特征尺寸的差距，降低了负载效应。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的版图和器件沟槽深度的监控方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112185834A
申请号 ：
CN202011019728.0
公开（公告）日 ：
2021-01-05
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
CN112185834B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
吴长明冯大贵欧少敏
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202011019728.0
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/8234 G03F1/44
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20200925
申请日 : 20200925
2021-01-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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