一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构
授权
摘要
本申请涉及半导体制造领域，特别是一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构，包括衬底，衬底的底部设置有注入层，衬底的上部设置有发射极沟槽与栅极沟槽，栅极沟槽向外延伸，栅极沟槽内直接开有用于与栅极相连接的第一接触孔，发射极沟槽内直接开有与发射极相连的第二接触孔，第一接触孔和第二接触孔是通过同一张孔版经过掩膜刻蚀后形成的，第一接触孔与第一金属层相连，第二接触孔与第二金属层相连。本申请通过不增加工艺难度的前提下，实现了不同沟槽与相应电极的互联，提高IGBT的开关频率，降低开关损耗，实现了调整栅极沟槽与发射极沟槽的比例的目的，为实现IGBT高频化设计提供了具体的版图可行性方案。
基本信息
专利标题 ：
一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122903804.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
CN216450647U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
马克强蒋兴莉胡强王思亮
申请人 ：
成都森未科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏丹
优先权 ：
CN202122903804.0
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/417 H01L29/739
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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