一种降低击穿风险的功率器件版图结构
授权
摘要
本申请涉及半导体制造领域，特别是一种降低击穿风险的功率器件版图结构，其主要包括经过掩膜刻蚀后形成条形状图形的沟槽版，每个沟槽版中间设置有重掺杂N型区域，每个重掺杂N型区域的中间设有与发射极相连的发射极孔版；沟槽版、重掺杂N型区域和发射极孔版共同构成了功率器件的有源区，沟槽版与其外部的多晶版相连，栅极孔版位于所述多晶版上，在版图的角落区域设置为多晶版，多晶版阻隔有源区进入版图的扇形角落区域。本申请通过版图设计对四个角落进行非有源区处理，并且不增加工艺步骤，与原有工艺可以完全兼容的基础上避免了电场和电流的集中，提高了功率器件的可靠性。与传统的有源区相比有源区栅极的引出是通过向内延伸的多晶版实现的。
基本信息
专利标题 ：
一种降低击穿风险的功率器件版图结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122903863.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
CN216450642U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
马克强胡强王思亮蒋兴莉
申请人 ：
成都森未科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏丹
优先权 ：
CN202122903863.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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