一种MOSFET器件的版图结构及MOSFET器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种MOSFET器件的版图结构及MOSFET器件，涉及半导体技术领域，包括：至少一第一沟槽，位于器件的有源区，且第一沟槽超出有源区的边缘一预设距离；第二沟槽，位于有源区的两侧，且第二沟槽与第一沟槽平行设置。本发明摒弃了传统的带有拐角的沟槽结构，版图结构中的所有沟槽结构均平行设计，消除了器件中容易发生击穿的点，使得整个器件击穿电压基本一致，器件稳定性较佳，提高了器件雪崩耐量；同时，由于第一沟槽的端头处超出有源区外一定的预设距离，产生类似于传统功率器件的终端结构中场板的效果，使有源区边缘处也得以被保护，具有较高的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种MOSFET器件的版图结构及MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114548016A
申请号 ：
CN202210159034.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈雪萌王艳颖钱晓霞
申请人 ：
嘉兴斯达微电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市南湖区大桥镇凌公塘路3339号（嘉兴科技城）1号楼220室
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
党蕾
优先权 ：
CN202210159034.X
主分类号 ：
G06F30/392
IPC分类号 ：
G06F30/392 G06F30/398
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/392
平面规划或布局，例如,分区或放置
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/392
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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