沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备
授权
摘要
本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
基本信息
专利标题 ：
沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922178796.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-06
授权号 ：
CN210837754U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
肖婷史波吴佳蒙曾丹曹俊
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路789号
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵凯莉
优先权 ：
CN201922178796.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/082 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
