半导体器件及其接触垫版图、接触垫结构和掩模板组合
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体器件及其接触垫版图、接触垫结构和掩模板组合，通过在主接触垫图案所在的主版图区的一侧设置第一边缘版图区，且第一边缘版图区中每个所述第一边缘接触垫图案的面积大于每个所述主接触垫图案的面积，由此基于该接触垫版图而形成核心区的主接触垫和在核心区边界处或核心区与周边区之间的交界区的虚拟接触垫时，能使得虚拟接触垫的顶面面积大于主接触垫的顶面面积，进而在主接触垫和虚拟接触垫上上接电学结构时，能够增大虚拟接触垫上上接的电学结构的尺寸，以改善核心区与周边区之间的电路图案的密集/稀疏效应，并提高主接触垫上接的电学结构的一致性，同时还能避免核心区边界处的主接触垫上接的电学结构异常的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其接触垫版图、接触垫结构和掩模板组合
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921636137.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN210778577U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
童宇诚曾依蕾詹益旺
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201921636137.0
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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