标准单元版图模板以及半导体结构
授权
摘要
本发明实施例提供一种标准单元版图模板以及半导体结构，标准单元版图模板包括：沿第一方向排布的第一阱区和第二阱区；第一栅极图形，位于所述第一阱区且沿所述第一方向延伸，用于定义第一栅极；第二栅极图形，位于所述第二阱区且沿所述第一方向延伸，用于定义第二栅极；栅电连接图形，位于所述第一栅极图形与所述第二栅极图形之间，用于定义栅电连接结构，所述栅电连接结构与所述第一栅极以及所述第二栅极同层设置，以电连接所述第一栅极和/或所述第二栅极。本发明实施例能够降低半导体结构的功耗，提升半导体结构的运行速度。
基本信息
专利标题 ：
标准单元版图模板以及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112992892A
申请号 ：
CN202110163720.X
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2021-02-05
授权号 ：
CN112992892B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
汪配焕
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202110163720.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/088 H01L27/092 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20210205
申请日 : 20210205
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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