集成在半导体结构中的烧录器的制作方法及其版图结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种集成在半导体结构中的烧录器的制作方法及其版图结构，应用于烧录技术领域。由于本发明作为烧录器的结构是齐纳二极管，而齐纳二极管具有永久不可恢复（一次读写操作）的特性，因此，利用本发明形成的烧录器可以避免现有技术中金属熔线（Metal Fuse）为了保证烧录器的一次数据读写目的，而需要在烧录时需在芯片表面开窗口，进而需要额外工艺的问题。进一步的，由于齐纳二极管的PN结的宽度可以根据实际需求做到很窄，因此，利用齐纳二极管作为烧录器可以在保证芯片产品的使用可靠性的同时，减小芯片的面积以及制造成本，从而更符合半导体工艺的逐渐集成化和小尺寸的设计要求。
基本信息
专利标题 ：
集成在半导体结构中的烧录器的制作方法及其版图结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551237A
申请号 ：
CN202210454788.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋德舟赵斌
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑星
优先权 ：
CN202210454788.8
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L29/866 H01L21/8249 H01L27/02 H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20220428
申请日 : 20220428
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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