本发明提供了一种集成在半导体结构中的烧录器的制作方法。具体的，其依靠现有CMOS平台的工艺条件，在具有隔离作用的浅沟槽隔离结构所对应的半导体衬底的表面上先形成用于后续步骤形成齐纳二极管的PN结的衬底层，然后在对该衬底层进行两次离子注入，以在该衬底层中形成齐纳二极管的PN结，之后在将该齐纳二极管作为本发明所提出的集成在半导体结构中的烧录器。由于本发明作为烧录器的结构是齐纳二极管，而齐纳二极管具有永久不可恢复的特性，因此，利用本发明形成的烧录器可以避免现有技术中金属熔线为了保证烧录器的一次数据读写目的，而需要在烧录时需在芯片表面开窗口，进而需要额外工艺的问题。