功率半导体器件的电极引出技术
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明通过制作一组导电、绝缘薄膜，对半导体器件芯片表面电极进行有选择的电镀，并在电镀层上加金属压块或焊接引线，从而构成完整的主电极引出工艺。本发明能满足可关断晶闸管(GTO)一类器件精细的多个弧立主电极的并联引出要求，也可同样方便地用于巨型晶体管(GTR)、门极辅助关断晶闸管(GATT)等一般功率半导体器件的制造工艺。本发明可采用平面工艺，允许有较高集成度，使用设备简单、成本低廉、可靠性好，并适合于大批量生产。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件的电极引出技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86109631A
申请号 ：
CN86109631.2
公开（公告）日 ：
1988-07-20
申请日 ：
1986-12-26
授权号 ：
CN1003548B
授权日 ：
1989-03-08
发明人 ：
吕征宇
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
陈桢祥
优先权 ：
CN86109631.2
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/88 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
1995-02-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-12-06 ：
授权
1989-03-08 ：
审定
1988-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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