阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构

授权

摘要

本实用新型涉及一种阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、第二导电类型体区、第二导电类型材料、阶梯型沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表面开设有阶梯型沟槽，每个阶梯型沟槽至少具有三级，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的宽度呈逐级增大设置，由肖特基金属层填满阶梯型沟槽并覆盖第一导电类型碳化硅外延体区的上表面，阶梯型沟槽的外部由阶梯型第二导电类型体区所包围。本实用新型提高了抗突波电流能力，具有更低的器件顺向导通电压，具有更高的器件耐压，具有更低的漏电电流。

基本信息

专利标题：

阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021320663.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-07

授权号：

CN212342633U

授权日：

2021-01-12

发明人：

陈彦豪

申请人：

苏州凤凰芯电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

曹祖良

优先权：

CN202021320663.9

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/417 H01L29/47 H01L29/872 H01L21/28 H01L21/04 H01L21/329