沟槽型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法
授权
摘要
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种沟槽型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法。本发明相对于传统的沟槽型碳化硅MOSFET，去掉了其N型碳化硅衬底，在器件源区一侧引入了第一N型碳化硅缓冲层，在器件漏区一侧引入了第二N型碳化硅缓冲层，并且在器件漏区一侧引入了结型肖特基势垒二极管结构。所述器件结构可以使沟槽型碳化硅MOSFET在获得大的正反向对称耐压的同时，具有较小的正向导通压降。此外，为了进一步解决该器件栅氧化层可靠性问题及栅漏电容较大问题，给出了几种相应的衍生结构。
基本信息
专利标题 ：
沟槽型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112687743A
申请号 ：
CN202011590914.X
公开（公告）日 ：
2021-04-20
申请日 ：
2020-12-29
授权号 ：
CN112687743B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
张金平王鹏蛟兰逸飞刘竞秀张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202011590914.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/08 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201229
申请日 : 20201229
2021-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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