一种耐高压碳化硅器件及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种耐高压碳化硅器件及其制备方法，所述耐高压碳化硅器件包括：碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层和设置在碳化硅衬底背面的漏极金属电极，碳化硅外延层上依次设有阻断注入区和源极注入区；碳化硅外延层上刻蚀有多个第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽底部设有栅极保护区，第一沟槽表面生长有氧化层，氧化层上设有栅极多晶硅电极，栅极多晶硅电极上方覆盖有绝缘层；第二沟槽底部设有耐压注入区，第二沟槽设有多晶硅填充物；源极注入区和绝缘层上覆盖有源极金属电极，解决了现有技术存在的反向电压低、工艺复杂的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种耐高压碳化硅器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420761A
申请号 ：
CN202210323319.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-03-30
授权号 ：
CN114420761B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
王中健曹远迎
申请人 ：
成都功成半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区蜀锦路88号1栋2单元48层1号、2号
代理机构 ：
成都四合天行知识产权代理有限公司
代理人 ：
董斌
优先权 ：
CN202210323319.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220330
申请日 : 20220330
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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