高压碳化硅器件的结终端扩展结构及其制造方法
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摘要
本发明公开了一种高压碳化硅功率器件的结终端扩展结构及其制造方法，该扩展结构包括N+型衬底、N‑型漂移区、第一P型结终端扩展区、第二P型结终端扩展区、P型主结、N+场截止环、第一金属电极层和第二金属电极层，第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区分别注入高低不同的浓度，同时将第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区在版图上通过直角三角形或直角梯形斜边对接平铺形成。本发明通过两种掺杂P型结终端扩展区在第三维度交叉结合，从而实现碳化硅终端结构等效横向变掺杂，使电场均匀分布，在保证终端效率的前提下缩小终端面积，从而能制造出芯片面积更小的高压碳化硅功率器件。
基本信息
专利标题 ：
高压碳化硅器件的结终端扩展结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113053997A
申请号 ：
CN202011588647.2
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2020-12-28
授权号 ：
CN113053997B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
邓小川陶梦玲吴昊刘瑞姜春艳严静融张波
申请人 ：
全球能源互联网研究院有限公司;电子科技大学
申请人地址 ：
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202011588647.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/265
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201228
申请日 : 20201228
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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