MOSFET器件的终端结构
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摘要
本实用新型涉及一种MOSFET器件的终端结构，所述终端结构包括设置于所述MOSFET器件芯片外围的一组以上由内而外依次分布的碳化硅沟槽环；所述碳化硅沟槽环为封闭的环形；最内侧的所述碳化硅沟槽环与所述芯片的低电位连接；最外侧的所述碳化硅沟槽环为截止环，所述截止环的电位与所述芯片的划片道连接。本实用新型的MOSFET器件的终端结构，通过内侧将碳化硅沟槽与芯片的低电位连接，有效抑制了反型沟道的形成，可以抑制漏电；在外侧将碳化硅沟槽与划片道的高电位连接，可以加强隔离效果，封闭的环形设计可以避免内侧与外侧之间形成漏电通道，从而解决了MOSFET器件耐压和漏电的问题。
基本信息
专利标题 ：
MOSFET器件的终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021407002.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-16
授权号 ：
CN212695153U
授权日 ：
2021-03-12
发明人 ：
艾育林裘三君
申请人 ：
深圳市瑞之辰科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区民治街道第五工业区上隆路先跑创业园1栋1楼B区厂房/3楼厂房
代理机构 ：
广东卓林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
岳帅
优先权 ：
CN202021407002.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2021-03-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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