一种终端结构及功率半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种终端结构即及功率半导体器件，包括：衬底；配置在所述衬底第一表面的外延层；设置在所述外延层内的场限环，设置在所述场限环两侧的内部金属层；配置在所述外延层上的电容复合结构层，配置在所述电容复合结构层两侧的外部金属层，覆盖在所述电容复合结构层上的绝缘层，其中，所述外部金属层与内部金属层电连接，所述电容复合结构层的两端分别与外部金属层电连接。解决了在不增加边缘终端区面积的情况下，提高边缘终端区的耐压能力。
基本信息
专利标题 ：
一种终端结构及功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022165873.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
CN212303678U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
周付康高凌云周建蒙李思泷李燕陈译
申请人 ：
厦门理工学院
申请人地址 ：
福建省厦门市集美区理工路600号
代理机构 ：
厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭福利
优先权 ：
CN202022165873.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L23/64
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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