一种MOSFET器件终端
授权
摘要
本实用新型公开了一种MOSFET器件终端，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有钝化层制备存在工艺复杂以及成本较高的问题。包括：所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截至区金属层均分布在隔离氧化层上表面，且所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截至区金属层之间均分布有所述dummy金属层；所述隔离氧化层上表面、所述dummy金属层、所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截至区金属层的上表面和侧壁上均设置一层所述氮化硅层；所述dummy金属层之间、所述dummy金属层与所述源极区金属层之间、所述dummy金属层与栅极区金属层之间、所述dummy金属层与所述外围截至区金属层之间还设置所述硅玻璃层。
基本信息
专利标题 ：
一种MOSFET器件终端
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022413901.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN213601873U
授权日 ：
2021-07-02
发明人 ：
袁力鹏范玮完颜文娟常虹
申请人 ：
华羿微电子股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
党娟娟
优先权 ：
CN202022413901.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2021-07-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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