屏蔽栅MOSFET器件终端结构
授权
摘要
本实用新型涉及屏蔽栅MOSFET器件终端结构，包括衬底，在衬底上开设若干有源区栅极沟槽、至少一条终端分压环沟槽及至少一条终端截止环沟槽，终端分压环沟槽具有部分或全部弯曲部分，终端分压环沟槽上开设终端分压环沟槽源极接触孔，相邻有源区栅极沟槽之间的衬底通过源极接触孔及导电金属层连接源极金属，所述终端分压环沟槽通过终端分压环沟槽源极接触孔及导电金属层也与源极金属连接；通过设置弯曲部分，使相邻有源区栅极沟槽之间的电荷、有源区栅极沟槽的近端与终端分压环沟槽的近端之间的电荷、及相邻有源区栅极沟槽与终端分压环沟槽的远端之间的电荷均被均匀耗尽，进一步降低了终端器件在耐压过程中的漏电流。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽栅MOSFET器件终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122875604.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
CN216435910U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
陈志阳徐彩云
申请人 ：
无锡惠芯半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋215.216室
代理机构 ：
无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
蒋愿真
优先权 ：
CN202122875604.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/06
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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