具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构
授权
摘要

本实用新型涉及一种具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构,包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、元胞沟槽、栅氧化层、屏蔽栅槽、屏蔽栅、第一间隔氧化层、栅极槽、栅氧化层、栅极导电多晶硅、终端沟槽、场氧化层、下层终端场板槽、下层终端场板、第二间隔氧化层、上层终端场板槽、上层终端场板、第二导电类型体区、第一导电类型源极区、终端场氧化层条块、绝缘介质层、源极金属柱与源极金属层。本实用新型可进一步降低输入和输出电容,减少器件开关损失,可以优化终端环设计,分散终端环的电场分布;本实用新型的器件具有更低的导通电阻、具有更低的输入、输出寄生电容值、更好的终端电场分布、更小的终端环设计和更好的器件可靠性能。

基本信息
专利标题 :
具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921907505.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-07
授权号 :
CN210805779U
授权日 :
2020-06-19
发明人 :
吴宗宪陈彦豪
申请人 :
苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼
代理机构 :
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
曹祖良
优先权 :
CN201921907505.0
主分类号 :
H01L29/423
IPC分类号 :
H01L29/423  H01L29/40  H01L29/06  H01L27/088  H01L21/8234  H01L21/28  
法律状态
2020-06-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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