具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构
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摘要
本实用新型涉及一种具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、元胞沟槽、栅氧化层、屏蔽栅槽、屏蔽栅、第一间隔氧化层、栅极槽、栅氧化层、栅极导电多晶硅、终端沟槽、场氧化层、下层终端场板槽、下层终端场板、第二间隔氧化层、上层终端场板槽、上层终端场板、第二导电类型体区、第一导电类型源极区、终端场氧化层条块、绝缘介质层、源极金属柱与源极金属层。本实用新型可进一步降低输入和输出电容，减少器件开关损失，可以优化终端环设计，分散终端环的电场分布；本实用新型的器件具有更低的导通电阻、具有更低的输入、输出寄生电容值、更好的终端电场分布、更小的终端环设计和更好的器件可靠性能。
基本信息
专利标题 ：
具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921907505.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-07
授权号 ：
CN210805779U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
吴宗宪陈彦豪
申请人 ：
苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201921907505.0
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/40 H01L29/06 H01L27/088 H01L21/8234 H01L21/28
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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