超结器件终端结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种超结器件终端结构，其将终端区的第一导电类型外延层分为第一至第三区，第一区的第一导电类型外延层的顶层中形成第二导电类型主结，第二区的第一导电类型外延层的顶层中形成第二导电类型的掺杂区，且掺杂区的掺杂浓度小于主结的掺杂浓度，掺杂区底部下方的第二导电类型柱的顶部齐平或低于主结下方的第二导电类型柱的顶部，第三区中距离截止环掺杂区近的第二导电类型柱的顶部高度低于距离第二区近的第二导电类型柱的顶部高度，由此，不仅将主结边缘的电场峰值引入终端结构体内，还有效降低截止环掺杂区及周围的表面电场，减小截止环掺杂区与最近的第二导电类型柱的距离，有效降低终端面积，同时对器件耐压和总体电场无不利影响。
基本信息
专利标题 ：
超结器件终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512534A
申请号 ：
CN202210134562.X
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戴银任文珍
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210134562.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220214
申请日 : 20220214
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
