一种超结终端结构
实质审查的生效
摘要
一种超结终端结构，第一导电类型半导体外延层和第二导电类型半导体柱构成超结终端的交替排布PN柱结构，在第二导电类型半导体柱上方设有一层高掺杂第一导电类型半导体薄层，在第一导电类型半导体外延层上方设有高掺杂第二导电类型半导体薄层。本发明通过设计能够被其下方的PN柱完全耗尽的半导体薄层，在超结终端区表面引入纵向耗尽效应，有效减小超结终端表面电场强度峰值，并使超结终端表面电场形状从常规的锯齿状电场分布转变为更加平坦的矩形电场分布，既能有效提升超结终端结构的耐压能力，又能提升超结终端的可靠性，改善超结终端的阻断特性。
基本信息
专利标题 ：
一种超结终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429984A
申请号 ：
CN202210357165.9
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-04-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨国江郭智汪阳
申请人 ：
江苏长晶浦联功率半导体有限公司;江苏长晶科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区浦口经济开发区双峰路69号C-16
代理机构 ：
南京天翼专利代理有限责任公司
代理人 ：
奚铭
优先权 ：
CN202210357165.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220407
申请日 : 20220407
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
