一种高压超结MOSFET结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压超结MOSFET结构，其包括N+衬底；超结区，超结区位于所述N+衬底上面；所述超结区包括第一P柱；N柱，N柱位于所述第一P柱外侧；第二P柱，第二P柱位于所述N柱外侧；本实用新型中的高压超结MOSFET结构是在Poly gate(多晶栅极)中间下面设置有数个PNPNPN交替出现的pillar(柱子)，实现了在不改变现有工艺以及其它参数几乎不变的情况下，使SJMOS(超级结金属氧化物半导体)器件的RSP(比导通电阻)及EMI(电磁干扰)性能提升，从而提升器件的竞争力。
基本信息
专利标题 ：
一种高压超结MOSFET结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022247870.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
CN213782020U
授权日 ：
2021-07-23
发明人 ：
张艳旺钱振华
申请人 ：
无锡橙芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区无锡市建筑西路777号A10幢2层202-34
代理机构 ：
浙江英普律师事务所
代理人 ：
王晓岗
优先权 ：
CN202022247870.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L23/552
法律状态
2021-07-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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