一种耐高压高EMI超结MOSFET芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种耐高压高EMI超结MOSFET芯片，包括底层的N+型重掺杂衬底，上述N+型重掺杂衬底上面依次设置N‑型辅助层、N型漂移层；上述N型漂移层内部上方设置有第一P型体区和第二P型体区；上述第一P型体区、第二P型体区的上端均连接有两个N+型体区；上述N型漂移层的上表面形成栅极结构，上述栅极结构的两端分别与上述第一P型体区和第二P型体区接触；上述第一P型体区、第二P型体区在N型漂移层内部向上述N‑型辅助层延伸分别形成第一P柱、第二P柱；上述第一P柱、第二P柱均由P‑包体区包围P+柱构成。有益效果是提高了高EMI超结MOSFET芯片的耐高压程度。
基本信息
专利标题 ：
一种耐高压高EMI超结MOSFET芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921986400.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-15
授权号 ：
CN210723041U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
陆怀谷
申请人 ：
深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区49区河东商业城华创达文化科技产业园9栋（F座）2-6楼501
代理机构 ：
上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张宁展
优先权 ：
CN201921986400.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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