一种高压多次外延型超结MOSFET的结构
授权
摘要
本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高压多次外延型超结MOSFET的结构，超结器件单元包括第一导电类型第一外延层及第一导电类型衬底，在第一导电类型第一外延层上设有第一导电类型第二外延层，第一导电类型第二外延层内设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区下方设有第二导电类型柱，第二导电类型柱从第二导电类型体区底部穿过第一导电类型第二外延层延伸至第一导电类型第一外延层内，且第二导电类型柱深入到第一导电类型第一外延层内的深度不超过5μm；本实用新型通过多次外延工艺，生长两种不同电阻率的外延层，通过调整P型柱深入N型第一外延层的深度、调整N型第一外延层和N型第二外延层的电阻率和厚度，可以实现更高的耐压能力。
基本信息
专利标题 ：
一种高压多次外延型超结MOSFET的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920638621.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-07
授权号 ：
CN209981222U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
薛璐王颖菲张海涛
申请人 ：
无锡紫光微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201920638621.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/06
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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