超结器件结构

授权

摘要

本实用新型提供一种超结器件结构，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，位于第一导电类型衬底的表面；多个第二导电类型柱，间隔分布于第一导电类型外延层内，以间隔出第一导电类型柱而形成超结结构；多个第二导电类型阱区，位于第一导电类型外延层内，且位于第二导电类型柱的上表面；第一导电类型源区，位于第二导电类型阱区内；第二导电类型阱引出区，位于第二导电类型阱区内；隧穿二极管，位于第一导电类型外延层内，且位于第二导电类型柱和第一导电类型衬底之间。本实用新型的超结器件结构能有效降低超结器件体内的反向恢复电荷和反向恢复时间，减小开关过程中的噪声干扰，进一步提升超结器件性能。

基本信息

专利标题：

超结器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920606776.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-29

授权号：

CN210015858U

授权日：

2020-02-04

发明人：

罗杰馨薛忠营柴展徐大朋

申请人：

上海功成半导体科技有限公司

申请人地址：

上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

余明伟

优先权：

CN201920606776.6

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06