超结器件及制作方法
公开
摘要
本发明提供一种超结器件及制作方法，包括：1)在第一衬底及第二衬底的第一主面刻蚀出第一沟槽及第二沟槽，沟槽呈倒梯形；2)将第一衬底与第二衬底键合；3)减薄第一衬底，并保留一支撑层；4)氧化支撑层，腐蚀去除氧化层，以显露沟槽，所述沟槽呈纺锤形结构。本发明通过将分别刻蚀形成有倒梯形沟槽的第一衬底与第二衬底键合，形成纺锤形沟槽结构，并通过减薄显露出该纺锤形沟槽结构，纺锤形沟槽结构可以缩小超结结构中的P型柱和N型柱的电荷差距，使超结器件达到电荷平衡，从而提高超结器件的耐压性能及降低超结器件的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
超结器件及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613834A
申请号 ：
CN202011443350.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐大朋薛忠营罗杰馨柴展
申请人 ：
上海功成半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202011443350.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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