超结器件及制作方法
公开
摘要
本发明提供一种超结器件及制作方法，包括：1)提供第一衬底并形成氧化层；2)将第一衬底与第二衬底键合，减薄第二衬底；3)基于光掩模，通过光刻‑刻蚀工艺在第二衬底刻蚀出贯通至氧化层呈倒梯形的沟槽；4)将第二衬底与第三衬底键合；5)去除第一衬底，并通过腐蚀去除氧化层，以显露沟槽的底部；6)对沟槽的底部进行刻蚀，以增大沟槽的底部宽度，使沟槽的形貌概呈矩形。本发明通过自宽度较小的沟槽底部进行刻蚀，以增大该沟槽底部的尺寸，从而使得该沟槽呈矩形，从而缩小超结结构中的P型柱和N型柱的电荷差距，使超结器件达到电荷平衡，从而提高超结器件的耐压性能及降低超结器件的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
超结器件及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613833A
申请号 ：
CN202011443290.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐大朋薛忠营罗杰馨柴展
申请人 ：
上海功成半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202011443290.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
