采用屏蔽栅的超结MOSFET结构
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摘要
本实用新型涉及属于半导体器件的制造技术领域，具体是一种采用屏蔽栅的超结MOSFET结构，所述采用屏蔽栅的超结MOSFET结构包括：半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底层和外延层，所述外延层设于所述第一导电类型衬底层上，所述外延层上开设有X向并排的第一沟槽，所述第一沟槽沿Y向延伸，所述第一沟槽分为上部和下部，所述第一沟槽下部为屏蔽栅区，上部为栅极区，所述屏蔽栅区和栅极区之间通过氧化层隔开；所述屏蔽栅区包括屏蔽栅和位于所述屏蔽栅两侧和底面的屏蔽栅氧化层，所述栅极区包括栅极多晶硅和位于所述栅极多晶硅两侧的栅氧化层。所述器件成为一个三维电荷平衡器件，能够在提高耐压降低电阻的同时，调节器件动态特性。
基本信息
专利标题 ：
采用屏蔽栅的超结MOSFET结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921343891.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-19
授权号 ：
CN210926026U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
钱振华张艳旺
申请人 ：
无锡橙芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋207
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201921343891.5
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/423 H01L29/06 H01L23/552 H01L21/336
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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