超结FRD结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种超结FRD结构及其制作方法，超结FRD结构包括正面金属区和背面金属区，还包括：N‑基区，所述N‑基区与所述正面金属区接触；N+基区，设置在所述N‑基区和所述背面金属区之间；所述N‑基区内设置有若干个P型区，且所述P型区与所述N‑基区形成横向PN结；所述P型区的侧方设置有P+区，且所述P+区与所述N‑基区形成纵向PN结。该结构通过引入横向的PN结结构，能够在器件反向耐压时，横向PN结和纵向PN结能够一起承担耐压，从而可以在不增厚N‑基区厚度、不改变N‑基区浓度的基础上提高器件的耐压值。
基本信息
专利标题 ：
超结FRD结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464669A
申请号 ：
CN202210192035.4
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程炜涛姚阳
申请人 ：
上海埃积半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层
代理机构 ：
上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘桂芝
优先权 ：
CN202210192035.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/868 H01L21/329
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
